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論文

Highly polarized electrons from GaAs-GaAsP and InGaAs-AlGaAs strained-layer superlattice photocathodes

西谷智博; 中西彊*; 山本将博*; 奥見正治*; 古田史生*; 宮本延春*; 桑原真人*; 山本尚人*; 浪花健一*; 渡辺修*; et al.

Journal of Applied Physics, 97(9), p.094907_1 - 094907_6, 2005/05

https://doi.org/10.1063/1.1886888

被引用回数：64 パーセンタイル：87.28(Physics, Applied)

GaAs-GaAsP及びInGaAs-AlGaAs歪み超格子光陰極は50%を超える偏極度の電子生成を実現してきた。InGaAs-AlGaAs歪み超格子光陰極では高い量子効率0.7%を達成したが、その偏極度は775%であった。一方、GaAs-GaAsP歪み超格子光陰極では926%の高い偏極度を0.5%の高い量子効率で達成した。さらに、このような超格子光陰極を用いたときの高い偏極度の電子生成メカニズムを実験的に得たスピン分解量子効率により明らかにした。

論文

Spin-resolved core-level photoemission spectra of ferromagnetic nickel

斎藤祐児; 菅滋正*; 柿崎明人*; 松下智裕*; 今田真*; 大門寛*; 小野寛太*; 藤沢正美*; 木下豊彦*; 石井武比古*; et al.

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 78, p.329 - 332, 1996/05

https://doi.org/10.1016/S0368-2048(96)80091-0

被引用回数：0 パーセンタイル：0.03(Spectroscopy)

強磁性体ニッケルの3pおよび3s内殻準位とM $_{23}$ VVオージェ電子とスピン分解光電子分光で調べた。内殻準位については、多重項をとり入れた不純物アンダーソンモデルに基づき解釈することができた。オージェ電子については従来の予想に反して正のスピン偏極度が観測された。また、本構造により高エネルギー側にも正のスピン偏極度が観測された。主に3d $^{8}$ 終状態と考えられていた主構造は、3d $^{8}$ と3d $^{7}$ 終状態が強く混成していることがわかった。主構造より高エネルギー側の正のスピン偏極度は、大きくスピン偏極した2次電子励起に由来するという解釈を初めて行った。